Nyt chipdesign kan give en uges batteritid på telefoner

Næste store skridt inden for chips er på vej. IBM og Samsung har annonceret den nyeste udvikling inden for design af halvledere, nemlig en ny metode til at stable transistorer vertikalt på en chip i stedet for, at de ligger fladt på overfladen af halvlederen.

Chips med flere transitorer

Det nye Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) design skal tage over efter den nuværende FinFET-teknologi, der bruges i  de mest avancerede chips i dag. Metoden kan give chips, der er endnu mere tætpakkede med transistorer, end det er tilfældet i dag.

Kort sagt betyder det nye design, at man med transistorer stablet vertikalt har strøm, der flyder op og ned langs stablen af transistorer i stedet for at skulle bevæge sig sidelæns i det horisontale design, der bruges i de fleste chips i dag.

Vertikale designs af halvledere har være en trend et stykke tid. Man får allerede nogle af fordelene med FinFET. Intels fremtidsplaner indeholder også en udvikling i den retning, men deres fokus har til at begynde med været at stable chipkomponenter i stedet for individuelle transistorer.

Mange fordele ved det nye chipdesign

Vi er stadig et godt stykke vej fra, at VTFET-designs bliver brugt i mikrochips i forbrugerprodukter, men de to selskaber er ikke blege for at male et rosenrødt billede af fremtiden. De nævner, at VTFET-chips kan fordoble ydeevnen eller reducere energiforbruget med 85 procent sammenlignet med FinFET-designs.

Det kan betyde, at mobiltelefoner kan holde batteri i en uge, inden en opladning er nødvendig, i stedet for daglig opladning.

IBM og Samsung nævner andre mulige anvendelsesområder for den nye teknologi. For eksempel mindre energikrævende mining af kryptovaluta eller datakryptering, stærkere IoT-enheder og selv forbedret rumudstyr som følge af den nye teknik.

Se også: Hvilken computer hardware findes der?

Intel arbejder også på stablet chipkonstruktion

IBM og Samsung er ikke de eneste, der har blikket vendt mod fremtidens produktion. Intel havde i sommer en forhåndsvisning af deres kommende RibbonFET-design, der er Intels første ”gate-all-around”-transistor.

Det nye design er Intels egen arvtager efter FinFET-teknologien og skal være en del af Intel 20A-generationen af halvlederprodukter, der skal gå i produktion fra 2024. Intel har også for nylig annonceret egne planer for en stablet transistorteknologi som en potentiel efterfølger til RibbonFET en gang i fremtiden.

Se også: Nyheder om hardware